根据韩媒消息，日本豪雅作为全球空白 EUV 掩膜龙头，2027 年可释放产能存在明显上限，没办法满足三星电子提出的增量供货请求，这块材料供给瓶颈，有可能直接拖慢三星在先进 DRAM、HBM、2nm、3nm 代工方向的扩产计划；空白 EUV 掩膜就是 EUV 光刻的原始底片，先进工艺每往前缩一代，单颗芯片消耗的掩膜数量就会明显上涨，三星今年预计消耗 5500 张空白 EUV 掩膜，未来三年用量每年大约增长 25%，而且三星现在对豪雅依赖度已经抬到 90% 以上，备选供应商 AGC 份额下滑，本土替代厂商还处在验证收尾阶段，短期很难补上缺口，豪雅虽然已经在新加坡投建新工厂，但产能要等到 2028 财年才能够投产，远水解不了明年的需求，这也意味着就算三星拿到足够多 EUV 光刻机，如果空白掩膜供给跟不上，先进节点的产能爬坡和出货目标都要被迫调整。
- 空白 EUV 掩膜市场格局
- 不同工艺的掩膜消耗对比
- 豪雅扩产与时间线
- 投资规模：约 420 亿日元，用于新加坡新建空白 EUV 掩膜工厂
- 投产窗口：2028 财年
- 业务预判：豪雅财报会议提及，EUV 空白掩膜业务全年营收增速超过 20%，单靠这座新厂依然很难覆盖全行业新增需求
- 短期约束：2027 年几乎没有新增有效产能，各家客户争夺存量配额
- 三星应对供给缺口方案清单
- 本土供应商导入：加速对韩国 S&S Tech 的产品评估，争取尽早导入分流订单，降低对豪雅的单一依赖。
- 生产计划微调：提前重新排定先进 DRAM、HBM、逻辑代工产能爬坡节奏，避免目标设置超出材料供给上限。
- 工艺优化降消耗：通过掩膜复用、版图优化、光刻方案调整，压低单晶圆的空白掩膜消耗速度。
- 长期绑定锁量：和豪雅锁定长期供货框架，优先保障高价值 HBM、旗舰代工项目拿到配额。
- 联合下一代标准：和 ASML 一起推进 12 英寸掩膜路线，为未来高 NA EUV 时代提前布局供应链。
- 产业链带来的连锁影响
| 供应商 | 全球份额 | 当前状态 |
|---|---|---|
| 豪雅 HOYA | 70%～75% | 行业绝对龙头，三星第一大供应商 |
| AGC（原旭硝子） | 20%～25% | 质量与规格波动，三星采购占比下降 |
| 韩国 S&S Tech | 极小 | 正在三星内部做最终评估，尚未大规模导入 |
早期三星采用豪雅与 AGC 八比二采购配比，后续因为 AGC 的产品稳定性、规格问题，三星主动提高豪雅采购占比，现在已经超过九成，供应链集中度风险被进一步放大。
| 工艺 | 单套产品所需 EUV 掩膜数量 |
|---|---|
| DRAM 1b | 4～5 张 |
| DRAM 1c | 6～7 张 |
| DRAM 1d | 约 10 张 |
| 4nm 逻辑 | 15～16 张 |
| 3nm 逻辑 | 约 20 张 |
| 2nm 逻辑 | 25～27 张 |
越是先进微缩节点，需要的掩膜数量越多，叠加 AI 芯片、HBM 持续放量，三星掩膜需求增速持续走高。
如果空白 EUV 掩膜供给持续紧张，一方面会限制三星 HBM、先进 DRAM 的出货增量，内存涨价预期会被进一步强化；另一方面其他同样依赖豪雅掩膜的晶圆厂，也会同步面临配额竞争；同时先进制程研发、新光掩模版制版周期拉长，新品流片节奏可能延后。
【相关 FAQ】
问题 1：豪雅空白 EUV 掩膜产能有限，为什么会影响三星电子芯片扩产？
回答 1：空白 EUV 掩膜是先进 EUV 光刻的基础底片，豪雅供给不足，就算三星拥有足够 EUV 光刻机，也没办法持续生产 3nm、2nm、先进 DRAM 和 HBM，直接约束三星电子芯片扩产上限。
问题 2：面对豪雅空白 EUV 掩膜供给紧张，三星电子有没有备选供应商？
回答 2：有，AGC 是第二大厂商，但目前采购占比下滑；同时三星正在评估本土 S&S Tech 的空白 EUV 掩膜产品，作为长期分流方案，不过短期内还无法大规模替代豪雅。
问题 3：豪雅新建空白 EUV 掩膜工厂，能不能解决三星电子明年扩产的缺口？
回答 3：不能，豪雅新加坡新厂产能要等到 2028 财年释放，没法缓解 2027 年豪雅空白 EUV 掩膜产能不足给三星电子芯片扩产带来的压力。
问题 4：豪雅空白 EUV 掩膜供应受限，三星电子哪一类芯片受冲击最大？
回答 4：三星的 HBM、先进 DRAM（1d）以及 2nm、3nm 逻辑代工产品对空白 EUV 掩膜消耗量大，如果豪雅配额不足，这几条产品线扩产最容易受到冲击。
【参考资料】
[2026-11-12]（DRAM 涨价潮再添一把火！EUV 掩膜也卡脖子：三星内存扩产受阻）太平洋科技
[2026-11-11]（消息称豪雅空白 EUV 掩膜产能有限，影响三星电子芯片扩产）新浪科技
[2026-11-11]（空白掩膜版供需凸显：三星需求或年复合增 25%，供应商扩产难解近渴）财联社
[2026-11-10]（Samsung Faces EUV Mask Blank Shortage as Hoya Rejects Supply Increase）THE ELEC
【免责声明】
以上内容仅为豪雅空白 EUV 掩膜产能与三星扩产相关行业资讯整理，不构成投资、产业采购建议；供应商产能、供货协议、三星扩产规划存在后续协商调整空间，相关供应链动态请以厂商官方公告与一线产业跟踪为准。
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本文概览：根据韩媒消息，日本豪雅作为全球空白 EUV 掩膜龙头，2027 年可释放产能存在明显上限，没办法满足三星电子提出的增量供货请求，这块材料供给瓶颈，有可能直接拖慢三星在先进 DRAM、HBM、2nm、3nm 代工方向的扩产计划；空白 EUV 掩膜就是 EUV 光刻的原始底片，先进工艺每往前缩一代，单颗芯片消耗的掩膜数量就会明显上涨，三星今年预计消耗 5500 张空白 EUV 掩膜，未来三年用量每年大约增长 25%，而且三星现在对豪雅依赖度已经抬到 90% 以上，备选供应商 AGC 份额下滑，本土替代厂商还处在验证收尾阶段，短期很难补上缺口，豪雅虽然已经在新加坡投建新工厂，但产能要等到 2028 财年才能够投产，远水解不了明年的需求，这也意味着就算三星拿到足够多 EUV 光刻机，如果空白掩膜供给跟不上，先进节点的产能爬坡和出货目标都要被迫调整。